т.к. расположены в одной группе главной подгруппе.
Различие C и Si :разное число энергетических уровней, т.к. расположены в разных периодах; разное число электронов; радиус C меньше, чем у Si (п положение в группе); неметаллические свойства ярче выражены у C, чем у Si (по положению в группе).
Упр.1б
Сходство Si и P: одинаковое число энергетических уровней, т.к. расположены в одном периоде.
Различие Si и P: разное число электронов на внешнем энергетическом уровне, т.к. расположены в разных группах главных подгруппах; разное число электронов; радиус P меньше, чем у Si (п положение в периоде); неметаллические свойства ярче выражены у P, чем у Si (по положению в периоде).
Хусанов С.А.