Исследование статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОБ

Цель работы
Изучить параметров статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОБ

Универсалный лабораторный стенд

Схема для снятия статических характеристик БТ

Схема соединений для снятия статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

Результаты измерений:Снятие выходных статических характеристик транзистора

Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений

Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении Electronics Workbench

Результаты измерений

Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме
ОБ-соединений

Паспортные данные БТ КТ 501К
планар – технология выполнении эпитакциалного p-n-p
PKmax = 350 mВт (при 35 0С)
Fгр ≥ 5 МГц
UКЭ = 45 В, Rmax = 10 кОм
UЭБ0 = 20 В
IKmax =300 (500) mA
IКЭ ≤ 1 mkA, R = 45
h21Э = 80 ÷ 240 (1 B, 30 mA)
CK ≤ 50 пФ (10 В)
rКЭнас ≤ 1,3 Ом
КШ ≤ 4 дБ (1кГц)

Расчет основных параметров

Рабочая станция NI ELVIS

Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS

Модуль и схема исследования биполярного транзистора
Биполяр транзисторни
тадқиқ этиш модули ва схемаси