Исследование статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОЭ. Лабораторная работа №11

Цель работы
Изучить параметров статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОЭ

Универсалный лабораторный стенд

Схема для снятия статических характеристик БТ

Схема соединений для снятия статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

Результаты измерений:Снятие выходных статических характеристик транзистора

Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении MultiSim 10.1

Результаты измерений

Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений

Паспортные данные БТ КТ 501К
планар – технология выполнении эпитакциалного p-n-p
PKmax = 350 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 5 МГц
UКЭ = 45 В, Rmax = 10 кОм
UЭБ0 = 20 В
IKmax =300 (500) mA
IКЭ ≤ 1 mkA, R = 45
h21Э = 80 ÷ 240 (1 B, 30 mA)
CK ≤ 50 пФ (10 В)
rКЭтўй ≤ 1,3 Ом
КШ ≤ 4 дБ (1кГц)

Паспортные данные БТ МП 37
планар – технология выполнении эпитакциалного n-p-n PKmax = 150 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 1 МГц
UКБ0теш = 30 В
IKmax = 20 mA
IКИmax = 150 mA
IКБ0 ≤ 30 mkA (5 В)
h21Э = 21 ÷ 50 (5 B, 1 mA)
rБ ≤ 220 Ом

Результаты измерений

Семейство входных и выходных статических характеристик BT на диаграмме УФ-соединений
УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва чиқиш статик характеристикалар оиласи

Расчет основных параметров

Рабочая станция NI ELVIS

Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS

Модуль и схема исследования биполярного транзистора
Биполяр транзисторни
тадқиқ этиш модули ва схемаси