Полевые транзисторы

Содержание

Слайд 2

ЧТО ЭТО?

ЧТО ЭТО?

Слайд 3

АНАЛОГОВАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАШИНА Н.Н. ПАВЛОВСКОГО РАБОТАЮЩАЯ НА ВОДЕ 1936 ГОД

АНАЛОГОВАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАШИНА Н.Н. ПАВЛОВСКОГО РАБОТАЮЩАЯ НА ВОДЕ 1936 ГОД

Слайд 4

В.С. ЛУКЬЯНОВ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ПРЕМИЯ 1951 ГОДа

СОЗДАТЕЛЬ ГИДРОИНТЕГРАТОРА ПОЧЕМУ ИСПОЛЬЗОВАЛАСЬ ВОДА, А НЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК? 1936 ↑гидроинтегратор 19 декабря

В.С. ЛУКЬЯНОВ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ПРЕМИЯ 1951 ГОДа СОЗДАТЕЛЬ ГИДРОИНТЕГРАТОРА ПОЧЕМУ ИСПОЛЬЗОВАЛАСЬ ВОДА, А
1947↑?

Слайд 5

В середине 1970-х годов гидравлические интеграторы применялись в 115 производственных, научных и

В середине 1970-х годов гидравлические интеграторы применялись в 115 производственных, научных и
учебных организациях, расположенных в 40 городах нашей страны. Только в начале 80-х годов появились малогабаритные, дешевые, с большим быстродействием и объемом памяти цифровые ЭВМ, полностью перекрывающие возможности гидроинтегратора.

Слайд 6

https://aftershock.news/?q=node/496842&full

https://aftershock.news/?q=node/496842&full

Слайд 7

После организации серийного производства интеграторы стали экспортироваться за границу: в Чехословакию, Польшу,

После организации серийного производства интеграторы стали экспортироваться за границу: в Чехословакию, Польшу,
Болгарию и Китай. Но самое большое распространение они получили в нашей стране. С их помощью провели научные исследования в поселке "Мирный", расчеты проекта Каракумского канала и Байкало-Амурской магистрали. Гидроинтеграторы успешно использовались в шахтостроении, геологии, строительной теплофизике, металлургии, ракетостроении и во многих других областях.

Слайд 9

УСИЛИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ ТОКА

УСИЛИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ ТОКА

Слайд 12

+

p n - заперт + открыт

+ p n - заперт + открыт

Слайд 14

Если к р-n-переходу подключить внешний источник с противоположной полярностью
«–» к области

Если к р-n-переходу подключить внешний источник с противоположной полярностью «–» к области
p-типа, «+» к области n-типа, то такое подключение называют обратным включением p–n-перехода (или обратным смещением p–n-перехода).

Обратное включение p–n-перехода

ИСТОК- ЗАТВОР, КОГДА НА ЗАТВОРЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА «-» ПРАВИЛЬНО!

Слайд 15

Напряженность электрического поля источника Eвн будет направлена в ту же сторону, что

Напряженность электрического поля источника Eвн будет направлена в ту же сторону, что
и напряженность электрического поля E потенциального барьера;
высота потенциального барьера возрастает, а ток диффузии основных носителей практически становится равным нулю.

Слайд 16

Ширина запирающего слоя δ увеличивается (δ''>δ), а его сопротивление резко возрастает.

Ширина запирающего слоя δ увеличивается (δ''>δ), а его сопротивление резко возрастает.

Слайд 17

Потенциал на затворе относительно истока

Потенциал на затворе относительно истока

Слайд 20

А ЕСЛИ ПОДАТЬ НА ЗАТВОР +0,6В ИЛИ БОЛЬШЕ?

А ЕСЛИ ПОДАТЬ НА ЗАТВОР +0,6В ИЛИ БОЛЬШЕ?

Слайд 21

>+0,6 В

Так делать нельзя ТРАНЗИСТОР СГОРИТ! ОПАСНОСТЬ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА ПРИ ПАЙКЕ!

>+0,6 В Так делать нельзя ТРАНЗИСТОР СГОРИТ! ОПАСНОСТЬ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА ПРИ ПАЙКЕ!

Слайд 23

Прямое включение p–n-перехода

Рассмотрим p–n-переход, к которому подключен внешний источник напряжения Uвн,
« +

Прямое включение p–n-перехода Рассмотрим p–n-переход, к которому подключен внешний источник напряжения Uвн,
» к области p-типа, «–» к области n-типа.
Такое подключение называют прямым включением p–n-перехода (или прямым смещением p–n-перехода).

ИСТОК- ЗАТВОР, КОГДА НА ЗАТВОРЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА «+» НЕПРАВИЛЬНО! СГОРИТ!

Слайд 24

Напряженность электрического поля внешнего источника Eвн будет направлена навстречу напряженности поля потенциального

Напряженность электрического поля внешнего источника Eвн будет направлена навстречу напряженности поля потенциального
барьера E и, следовательно, приведет к снижению результирующей напряженности Eрез :

Слайд 25

СГОРЕЛ!

СГОРЕЛ!

Слайд 26

ПОЧЕМУ n-тип используют ЧАЩЕ p-типа?

ПОЧЕМУ n-тип используют ЧАЩЕ p-типа?

Слайд 27

Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева).

У атома

Пример донорной примеси – сурьма (Sb) (элемент V группы таблицы Менделеева). У
сурьмы на наружной электронной оболочке находятся пять валентных электронов.
Четыре электрона устанавливают ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния,
а пятый валентный электрон такой связи установить не может, так как в атомах кремния все свободные связи (уровни) уже заполнены.

Слайд 28

При T = 0 К все энергетические уровни, находящиеся выше уровня Ферми,

При T = 0 К все энергетические уровни, находящиеся выше уровня Ферми, свободны.
свободны.

Слайд 29

Уровень Ферми будет смещаться вверх, к границе зоны проводимости Wп . Малейшее

Уровень Ферми будет смещаться вверх, к границе зоны проводимости Wп . Малейшее
приращение энергии электрона приводит к его переходу в зону проводимости.

Слайд 30

Акцепторные примеси

Акцептор – это примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень,

Акцепторные примеси Акцептор – это примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический
свободный от электрона в невозбужденном состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны в возбужденном состоянии.

Слайд 31

Если в кристаллическую решетку полупроводника кремния ввести атомы примеси - индия (In)

Если в кристаллическую решетку полупроводника кремния ввести атомы примеси - индия (In)
(элемент III группы таблицы Менделеева), имеющего на наружной электронной оболочке три валентных электрона, то эти три валентных электрона устанавливают прочные ковалентные связи с тремя соседними атомами кремния из четырех.

Слайд 32

ОТ СТОКА К ИСТОКУ

ОТ ИСТОКА К СТОКУ

ОТ СТОКА К ИСТОКУ ОТ ИСТОКА К СТОКУ

Слайд 41

МОП ТРАНЗИСТОРЫ

МОП ТРАНЗИСТОРЫ

Слайд 53

ПРЕДОХРАНИТЕЛИ И УСТРОЙСТВА ЗАЩИТНОГО ОТКЛЮЧЕНИЯ

ПРЕДОХРАНИТЕЛИ И УСТРОЙСТВА ЗАЩИТНОГО ОТКЛЮЧЕНИЯ
Имя файла: Полевые-транзисторы.pptx
Количество просмотров: 35
Количество скачиваний: 0