ПРОГРАММА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ПЕРЕПОДГОТОВКИ

Карта участников и партнеров программы
5
Ведущих отечественных и
зарубежных компаний
4
Ведущих Российских вуза
Ведут подготовку технологов и проектировщиков СВЧ МИС мирового уровня

Преподаватели программы
16
Кандидатов наук
10
Докторов наук
16
Ведущих отечественных и зарубежных специалистов
42
Преподавателя

Участники выполнения программы (вузы)

Участники выполнения программы (вузы)

Участники выполнения программы (компании)

Иностранные участники

Направления подготовки специалистов
Проектирование СВЧ
монолитных
интегральных схем (МИС)
Технология СВЧ МИС
Очная форма обучения
Оборудование для
производства
монолитных
интегральных схем (МИС)

Программа профессиональной подготовки

Программа профессиональной подготовки

Программа профессиональной подготовки

Основные профессиональные компетенции
Владение основными понятиями, законами и моделями полупроводниковой гетероструктурной инженерии на базе знаний:
элементов квантовой механики;
физики гетеропереходов;
физики низкоразмерных структур;
транспортных и оптических явлениях в низкоразмерных полупроводниковых структурах;
приборов на гетеропереходах и низкоразмерных структурах;
направлений дальнейших исследований и инженерных разработок в области наноэлектроники.
1

Основные профессиональные компетенции
Владение основными понятиями, законами и моделями наноэлектроники, основными видами и свойствами нанообъектов, наноматериалов, типовыми методами исследования свойств нанообъектов, технологическими процессами их получения на базе знаний:
физических основ наноэлектроники;
квантовых структур и наноматериалов;
современных методов формирования наноструктур; актуальных способов формирования квантово-размерных наноструктур; квантовых эффектов;
устройств наноэлектроники;
зондовых нанотехнологий создания элементной базы наноэлектроники;
элементной базы наноэлектроники на основе гетероструктур
2

Основные профессиональные компетенции
Владение оборудованием для создания и исследования свойств объектов наноэлектроники на базе знаний:
методов исследования наноструктур с помощью сканирующей зондовой микроскопии;
технологий и оборудования оптической литографии и литографии с помощью сканирующих электронных и ионных пучков;
методов анализа технологии и выбора требуемого оборудования для исследований и изготовления наноструктур
3

Основные профессиональные компетенции
Владение основами схемотехники, разработки и проектирования наногетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений и твёрдых растворов, автоматизированными средствами проектирования на базе знаний:
классических матриц многополюсников;
связи между различными системами параметров;
применения классических матриц многополюсников;
волновой системы параметров;
коэффициента отражения;
матрицы рассеяния волн мощности;
связи матрицы параметров рассеяния с классическими матрицами;
обобщенных параметров рассеяния;
свойств матрицы рассеяния для различных классов СВЧ цепей;
матриц рассеяния простейших четырехполюсников и их соединений и умения проводить анализ СВЧ цепей с применением общей теории многополюсников
4

Основные профессиональные компетенции
Владение основами технологии производства интегральных схем на кремнии с нанометровыми топологическими нормами на базе знаний:
геттерирования, очистки и пассивации поверхности полупроводниковых подложек;
субмикронной литографии;
ионного легирования полупроводников;
быстрого термического отжига;
ионного и плазмохимического травления микроструктур;
осаждения металлов и диэлектриков;
планаризации рельефа;
формирования транзисторов в приповерхностных слоях кремния (FEOL);
формирования межэлементных соединений и межуровневой разводки (BEOL)
6

Основные профессиональные компетенции
Владение основами технологии и оборудованием для производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений и твёрдых растворов на базе знаний элементной базы цифровых ИС на основе наноструктур арсенида галлия; омических контактов к эпитаксиальным структурам и гетероструктурам арсенида галлия; приборов и ИС на основе туннельно-резонансных гетероструктур; электрических схем основе ТРД и ПТШ, изготовления дискретных РТД, проверки воспроизводимости РТД структур; отработки технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами для создания монолитно-интегрированных элементов наноэлектроники
7

Ресурсы программы
Научно-образовательный центр по направлению «нанотехнологии» ТУСУРа
Лаборатории кафедр ТУСУРа - физической электроники (ФЭ), компьютерных систем управления и проектирования (КСУП)
Пилотная линия микро-наноэлектроники ЗАО «НПФ «Микран»
Дизайн-центр ЗАО «НПФ «Микран», НИИ Систем электрической связи ТУСУРа и кафедры КСУП
Ресурсы Национального исследовательского Московского института (технического университета) электронной техники (МИЭТ)

Перечень УМК (образцы пособий)