Различные конструктивные варианты биполярных транзисторов в ИМС

Транзисторы с диодом Шотки
- Назначение диода Шоттки
- Технологические сложности формирования барьера Шоттки
- Преимущества (выигрыш в быстродействии – в 2…5 раз)

Транзисторы p-n-p-типа
а) n-p-n-транзистор; б) вертикальный p-n-p-транзистор, полученный методом тройной диффузии; в) горизонтальный p-n-p-транзистор; г) вертикальный p-n-p-транзистор, использующий подложку в качестве коллектора.

Горизонтальный транзистор p-n-p-типа с комбинированной изоляцией
Транзистор – бездрейфовый. Активная область базы – вблизи поверхности (влияние ловушек). Толщина базы больше, чем у вертикальной структуры. Инжекция электронов из эмиттера – не только вбок, но и вниз, часть электронов рекомбинирует в базе, не дойдя до коллектора.

Многоэмиттерные транзисторы
Базовый элемент ТТЛ ( И-НЕ)
Структура многоэмиттерного транзистора
Топология многоэмиттерного транзистора (без инвертора на Т2)
а) транзисторный эффект (увеличить расстояние между эмиттерами) б) большой Iвх при всех Uвх=лог.1 (уменьшить инверсный коэффициент передачи тока β)