Слайд 2Выпускаемые интегральные микросхемы подразделяются на серии, отличающиеся технологиями изготовления, статическими и динамическими
![Выпускаемые интегральные микросхемы подразделяются на серии, отличающиеся технологиями изготовления, статическими и динамическими](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-1.jpg)
параметрами, функциональным разнообразием входящих в их состав элементов.
Слайд 3Наибольшее распространение получили интегральные микросхемы, выполненные по технологиям ТТЛ, ТТЛШ, k-МОП, п-МОП.
![Наибольшее распространение получили интегральные микросхемы, выполненные по технологиям ТТЛ, ТТЛШ, k-МОП, п-МОП.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-2.jpg)
Технологии непрерывно совершенствуются с целью увеличения быстродействия, нагрузочной способности, степени интеграции, уменьшения потребляемой мощности и весогабаритных характеристик.
Слайд 4Серии интегральных микросхем, выполненных по технологиям ТТЛ, ТТЛШ (транзисторно транзисторная логика с
![Серии интегральных микросхем, выполненных по технологиям ТТЛ, ТТЛШ (транзисторно транзисторная логика с](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-3.jpg)
диодами Шоттки).
Отечественные серии микросхем малой степени интеграции и их зарубежные аналоги , выполненные по этим технологиям, приведены в таблице:
Слайд 5Соответствие отечественных и зарубежных микросхем
SN74 - обычная (стандартная) ТТЛ-серия;
SN74L - (Low Power)
![Соответствие отечественных и зарубежных микросхем SN74 - обычная (стандартная) ТТЛ-серия; SN74L -](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-4.jpg)
малопотребляющая ТТЛ-серия;
SN74H - (Hi Speed) высокоскоростная серия;
Слайд 6SN74S - (Schottky) ТТЛ-серия на основе диодов Шоттки;
SN74LS - малое потребление с
![SN74S - (Schottky) ТТЛ-серия на основе диодов Шоттки; SN74LS - малое потребление](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-5.jpg)
диодами Шоттки;
SN74ALS - (Advanced) усовершенствованная малопотребляющая серия с диодами Шоттки;
SN74AS - улучшенная с диодами Шоттки;
SN74F - (Fast-Fairchild Advanced Schottky) быстродействующая улучшенная с диодами Шоттки.
Серии SN54 и SN74 отличаются только температурным диапазоном и допустимой величиной отклонения источника питания от номинала
Слайд 7В конце 70-х начале 80-х гг. параллельно с ТТЛ-технологией начала развиваться МОП-технология:
n-МОП
![В конце 70-х начале 80-х гг. параллельно с ТТЛ-технологией начала развиваться МОП-технология:](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-6.jpg)
n-MOS (Metal Oxide Semiconductor); р-МОП p-MOS;
k-МОП c-MOS (Complementary MOS).
Отечественные и зарубежные аналоги МОП-серии сведены в таблице:
Слайд 8Отечественные и зарубежные аналоги МОП-серии
![Отечественные и зарубежные аналоги МОП-серии](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-7.jpg)
Слайд 9До начала 90-х гг. все выпускаемые МОП-серии отличались невысоким быстродействием и низкой
![До начала 90-х гг. все выпускаемые МОП-серии отличались невысоким быстродействием и низкой](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-8.jpg)
нагрузочной способностью. С появлением серии 54 НС/ 74 НС / 1564 (Hi Speed CMOS) появились первые микросхемы, близкие по своим физическим параметрам к 54LS/74LS, а в сериях 54АС/ 74 АС/ КР 1554 (Advanced C-MOS) среднее время задержки на один вентиль уменьшилось до 3,5 нс.
Слайд 10Ещё более высокого быстродействия добились в сериях ВСТ (Bi CMOS-Bipolary C-MOS -
![Ещё более высокого быстродействия добились в сериях ВСТ (Bi CMOS-Bipolary C-MOS -](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-9.jpg)
ТТЛ Compatible Input) - технология с размещением биполярных и К-МОП-транзисторов на одном кристалле с уровнями сигналов, совместимыми с ТТЛ.
Результатом постоянной работы по улучшению параметров ИМС стали улучшенные серии ACQ/FCTQ, FCTx/FCTxT, FASTr и др
Слайд 11На сегодняшний день параметры интегральных микросхем, выполненных по МОП-технологии, уже ничем не
![На сегодняшний день параметры интегральных микросхем, выполненных по МОП-технологии, уже ничем не](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-10.jpg)
уступают ТТЛ, ТТЛШ, а в ряде случаев даже превосходят их по помехоустойчивости, энергопотреблению, быстродействию, но проигрывают в стоимости.
Слайд 12В состав каждой серии входит определённый набор интегральных микросхем различного функционального назначения.
![В состав каждой серии входит определённый набор интегральных микросхем различного функционального назначения.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-11.jpg)
По своему функциональному назначению они разбиваются на отдельные группы - логические элементы, триггеры, регистры, счётчики, сумматор и т. д
Слайд 13В состав разных серий могут входить интегральные микросхемы с одинаковым функциональным назначением,
![В состав разных серий могут входить интегральные микросхемы с одинаковым функциональным назначением,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-12.jpg)
но они отличаются своими статическими, динамическими, стоимостными и другими параметрами (характеристиками).
Слайд 14Из-за их взаимной противоречивости невозможно выбрать одну серию микросхем с наивысшими показателями
![Из-за их взаимной противоречивости невозможно выбрать одну серию микросхем с наивысшими показателями](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/964967/slide-13.jpg)
всех параметров. Поэтому серии интегральных микросхем постоянно совершенствуются.