миллиметров с очень ровными прямоугольными гранями, и при поперечном сечении MEMS-детали от всего в 5-7 микрон, до 300-500, с использованием жесткого излучения, прецизионного литья полимерами по заданной форме и гальванического осаждения металлов на микроповерхностях. Сущность метода заключается в использовании не простого рентгеновского излучения от рентгеновской лампы, а полученного при помощи ускорителя элементарных частиц – синхротрона. Синхротронное рентгеновское излучение является очень мощным, и имеет сверхмалое расхождение электромагнитного пучка (не больше 0,006°), т.е. формируется пучок параллельных лучей, отсюда и очень ровные отвесные стенки у MEMS- конструкций. Глубина проникновения такого рентгеновского излучения в полимерный материал может достигать нескольких миллиметров. Это очень много. Микродетали, полученные этим методом, выходят очень объемными, лишенные планарности.
Технологии конструирования МЭМС