Содержание
- 2. Что такое тонкие пленки и зачем они нужны? Тонкие пленки – это слои вещества толщиной от
- 3. Технологии получения тонких пленок Термическое вакуумное напыление (ТВН) Ионное (катодное) распыление (ИКР) Ионно-плазменное распыление (ИПР) Эпитаксия
- 4. История открытия Ионное (катодное) распыление было открыто в 1852 году В.Р.Гроувом, который пытался установить аналогию между
- 5. Установка ионного (катодного) распыления Схема установки: 1 – колпак 2 – анод, с закрепленной к нему
- 6. В основе ИКР лежит электрический газовый разряд – совокупность явлений происходящих в газе или парах ртути
- 7. Виды газового разряда Несамостоятельный разряд – осуществляется только при наличии внешнего источника ионизации. В качестве которого
- 8. Ионное (катодное) распыление Метод ИКР основан на явлении разрушения катода при бомбардировке его ионизированными атомами разряженного
- 9. Термическое вакуумное распыление Вспомним, что сущность процесса ТВН состоит в переводе осаждаемого материала с помощью нагрева
- 10. Коэффициент распыления Основным параметром, характеризующим процесс распыления, является коэффициент распыления Кр, равный числу выбитых атомов, приходящих
- 11. Образование положительных ионов и процесс рекомбинации Положительные ионы образуются в газе в результате ионизации атомов электронным
- 12. Электроны могут также рассеиваться на атомах газа, попадать на стенки камеры и оседать на них, так
- 13. Количество ионов Количество ионов, образующихся в камере, зависит от количества электронов с катода, давление газа в
- 14. Влияние давления на количество ионов Среднее количество ионов, создаваемых в газе каждым выходящим из катода электроном,
- 15. Преимущества ионного (катодного) распыления Поскольку распыление является низкотемпературным процессом, то в качестве исходной мишени можно использовать
- 16. Недостатки ионного (катодного) распыления Невозможность прямого нанесения диэлектрических пленок, так как распыляемый катод должен быть проводящим.
- 18. Скачать презентацию