Слайд 272
ВОПРОСЫ
14. Электрическое поле в диэлектрике. Энергия электрического поля в диэлектрике.
15. Термодинамика диэлектриков.
16.
![72 ВОПРОСЫ 14. Электрическое поле в диэлектрике. Энергия электрического поля в диэлектрике.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-1.jpg)
Сегнетоэлектрики. Свойства сегнетоэлектриков. Петля гистерезиса.
Слайд 472
14. Электрическое поле в диэлектрике. Энергия электрического поля в диэлектрике.
![72 14. Электрическое поле в диэлектрике. Энергия электрического поля в диэлектрике.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-3.jpg)
Слайд 572
При внесении изотропного диэлектрика во внешнее электрическое поле Е0, например, в пространство
![72 При внесении изотропного диэлектрика во внешнее электрическое поле Е0, например, в](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-4.jpg)
между обкладками плоского конденсатора, он поляризуется. Внутри диэлектрика связанные заряды компенсируют друг друга.
Слайд 772
Но на левой грани возникает не скомпенсированный связанный отрицательный заряд с поверхностной
![72 Но на левой грани возникает не скомпенсированный связанный отрицательный заряд с](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-6.jpg)
плотностью – σ*, а на правой – положительный связанный заряд с поверхностной плотностью + σ*. В диэлектрике возникнет свое электрическое поле
Е*= σ*/ ε0 ,
направленное противоположно внешнему полю Е0.
Слайд 872
Согласно принципу суперпозиции результирующее электрическое поле
Е = Е0 – Е*,
или
![72 Согласно принципу суперпозиции результирующее электрическое поле Е = Е0 – Е*,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-7.jpg)
по абсолютной величине
Е = Е0 – Е*
или
Слайд 972
Здесь σ* – поверхностная плотность связанных зарядов на поверхности диэлектрика (σ* =
![72 Здесь σ* – поверхностная плотность связанных зарядов на поверхности диэлектрика (σ*](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-8.jpg)
ε0 Е*), σ – поверхностная плотность сторонних зарядов на обкладках конденсатора (σ = ε0 Е).
С учётом выражения σ* = χ ε0 Е можно записать
Е = Е0 – χ Е = Е0 / ε.
Слайд 1072
Умножим левую и правую части на
ε0 ε, в результате получим электрическое смещение
![72 Умножим левую и правую части на ε0 ε, в результате получим](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-9.jpg)
внутри диэлектрика
D = ε0εE = ε0E0 = D0.
Следовательно, электрическое смещение внутри диэлектрика совпадает с электрическим смещением внешнего электрического поля в вакууме D0.
Слайд 1172
То есть, можно записать так D = σ.
Вывод: Электрическое смещение численно равно
![72 То есть, можно записать так D = σ. Вывод: Электрическое смещение](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-10.jpg)
поверхностной плотности сторонних зарядов.
Слайд 1272
Энергия электрического поля в диэлектрике.
Согласно теории энергию W электрического поля при наличии
![72 Энергия электрического поля в диэлектрике. Согласно теории энергию W электрического поля](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-11.jpg)
изотропного диэлектрика можно записать, используя Е и D.
Носителем энергии является само электрическое поле.
Слайд 1372
Можно найти распределение электрической энергии в пространстве с некоторой объемной плотностью
![72 Можно найти распределение электрической энергии в пространстве с некоторой объемной плотностью](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-12.jpg)
Слайд 1472
Объемная плотность энергии электрического поля при наличии диэлектрика в ε раз больше,
![72 Объемная плотность энергии электрического поля при наличии диэлектрика в ε раз](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-13.jpg)
чем при отсутствии диэлектрика, хотя напряженность поля в обоих случаях одна и та же.
Это связано с тем, что при создании поля в диэлектрике оно совершает дополнительную работу по его поляризации.
Слайд 1572
Следовательно, под энергией поля в диэлектрике следует понимать всю энергию, затрачиваемую на
![72 Следовательно, под энергией поля в диэлектрике следует понимать всю энергию, затрачиваемую](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-14.jpg)
возбуждение электрического поля, которая складывается из собственной электрической энергии и энергии, расходуемой на совершение работы при поляризации.
Слайд 1672
Действительно, если вместо электрического смещения D подставить величину , то
![72 Действительно, если вместо электрического смещения D подставить величину , то](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-15.jpg)
Слайд 1772
где первое слагаемое соответствует объемной плотности энергии поля Е в вакууме, второе
![72 где первое слагаемое соответствует объемной плотности энергии поля Е в вакууме,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-16.jpg)
− связано с дополнительной объемной плотностью энергии, расходуемой на поляризацию диэлектрика.
Слайд 1872
Вычислим энергию заряженного шара в диэлектрике с диэлектрической проницаемостью ε. Заряд шара
![72 Вычислим энергию заряженного шара в диэлектрике с диэлектрической проницаемостью ε. Заряд](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-17.jpg)
q, радиус шара R.
Энергия шарового слоя толщиной dr (E = const):
Слайд 1972
Интегрируем от R до бесконечности
C = 4πε0εR – ёмкость шара
![72 Интегрируем от R до бесконечности C = 4πε0εR – ёмкость шара](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-18.jpg)
Слайд 2172
15. Термодинамика диэлектриков.
![72 15. Термодинамика диэлектриков.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-20.jpg)
Слайд 2272
Рассмотрим процесс поляризации изотропных диэлектриков с точки зрения термодинамики. Диэлектрик будем считать
![72 Рассмотрим процесс поляризации изотропных диэлектриков с точки зрения термодинамики. Диэлектрик будем](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-21.jpg)
изотропным как в отсутствие, так и при наличии внешнего электрического поля. Такие диэлектрики широко распространены среди жидкостей и газов.
Слайд 2372
Если диэлектрик неоднороден, то можно выделить столь малый объем dV, в пределах
![72 Если диэлектрик неоднороден, то можно выделить столь малый объем dV, в](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-22.jpg)
которого он будет однородным. Соответственно в этом объеме будет однородным давление и напряженность электрического поля.
Слайд 2472
Применим первое начало термодинамики к такому объему диэлектрика:
δQ = dU + δA,
где
![72 Применим первое начало термодинамики к такому объему диэлектрика: δQ = dU](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-23.jpg)
δQ − количество теплоты, переданное диэлектрику; dU − изменение внутренней энергии; δA − элементарная работа, состоящая из двух слагаемых: т. е. δA = δA1 + δA2,
Слайд 2572
где δA1 = pdV − работа системы против внешнего давления, которая была
![72 где δA1 = pdV − работа системы против внешнего давления, которая](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-24.jpg)
рассмотрена подробно в термодинамике (здесь речь идёт об изменении объёма); δA2 − работа электрического поля.
Слайд 2672
Работа по перемещению заряда в электрическом поле
δA2 = −ϕdq,
где dq = σdS,
![72 Работа по перемещению заряда в электрическом поле δA2 = −ϕdq, где](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-25.jpg)
ϕ = Е⋅ℓ , D = σ.
C учетом этого формула работы электрического поля принимает вид
(здесь речь идёт о некоторой доли объёма, не изменение)
Слайд 2772
Cчитая объем при поляризации постоянным и полагая его единичным получаем
Поэтому первое
![72 Cчитая объем при поляризации постоянным и полагая его единичным получаем Поэтому](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-26.jpg)
начало термодинамики принимает вид
Слайд 2872
где или
где первое слагаемое − работа, затрачиваемая на изменение поля; второе слагаемое −
![72 где или где первое слагаемое − работа, затрачиваемая на изменение поля;](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-27.jpg)
работа, затрачиваемая на поляризацию среды, с которой связана сила, действующая на диэлектрик со стороны поля.
Слайд 2972
Внутреннюю энергию диэлектрика можно представить в виде:
![72 Внутреннюю энергию диэлектрика можно представить в виде:](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-28.jpg)
Слайд 3072
где T – термодинамическая температура, ρ − плотность диэлектрика, U0(T, ρ) −
![72 где T – термодинамическая температура, ρ − плотность диэлектрика, U0(T, ρ)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-29.jpg)
внутренняя энергия диэлектрика при E = 0 внутри его.
Слайд 3172
Адиабатическое и квазистатическое изменение поляризации диэлектрика приводит к изменению температуры, т. е.
![72 Адиабатическое и квазистатическое изменение поляризации диэлектрика приводит к изменению температуры, т. е. наблюдается электрокалорический эффект.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-30.jpg)
наблюдается электрокалорический эффект.
Слайд 3272
При таком процессе энтропия остается постоянной. Если ее рассматривать как функцию напряженности
![72 При таком процессе энтропия остается постоянной. Если ее рассматривать как функцию](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-31.jpg)
Е и температуры Т,
т. е. S = f(E,T) при постоянной плотности (ρ = сonst), то для бесконечно малого процесса получим
Слайд 3372
Известно, что
где ∂S = (δQ/T) по определению энтропии; СЕ − теплоемкость
![72 Известно, что где ∂S = (δQ/T) по определению энтропии; СЕ −](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-32.jpg)
единицы объема диэлектрика при постоянной напряженности электрического поля.
Слайд 3472
Также известно, что
Следовательно, изменение температуры
![72 Также известно, что Следовательно, изменение температуры](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-33.jpg)
Слайд 3572
Если напряженность электрического поля изменяется от Е1 до Е2, то температура диэлектрика
![72 Если напряженность электрического поля изменяется от Е1 до Е2, то температура диэлектрика изменяется по закону](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-34.jpg)
изменяется по закону
Слайд 3772
16. Сегнетоэлектрики. Свойства сегнетоэлектриков. Петля гистерезиса.
![72 16. Сегнетоэлектрики. Свойства сегнетоэлектриков. Петля гистерезиса.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-36.jpg)
Слайд 3872
Некоторые кристаллические диэлектрики, твердые растворы, керамики, пленки и т. д. проявляют удивительные
![72 Некоторые кристаллические диэлектрики, твердые растворы, керамики, пленки и т. д. проявляют](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-37.jpg)
свойства.
В определенном интервале температур такие диэлектрики обладают самопроизвольной (спонтанной) поляризацией в малых объемах вещества в отсутствие внешнего электрического поля.
Слайд 3972
Такие вещества называют сегнетоэлектриками.
Это название они получили, потому что такие необычные свойства
![72 Такие вещества называют сегнетоэлектриками. Это название они получили, потому что такие](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-38.jpg)
впервые были обнаружены у кристаллов сегнетовой соли КNaC4Y4O6⋅4H2O.
Слайд 4072
Обычно сегнетоэлектрик не является однородно поляризованным, а состоит из многих доменов с
![72 Обычно сегнетоэлектрик не является однородно поляризованным, а состоит из многих доменов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-39.jpg)
различным направлением их дипольного момента. Доменом называют объем кристалла, который самопроизвольно поляризован в одном направлении.
Слайд 4172
В результате суммарный дипольный момент образца в отсутствии внешнего электрического поля равен
![72 В результате суммарный дипольный момент образца в отсутствии внешнего электрического поля](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-40.jpg)
нулю. Равновесная доменная структура соответствует минимуму свободной энергии кристалла. Домены сегнетоэлектриков появляются в соответствии с условием минимума энергии на основании общих принципов термодинамического равновесия.
Слайд 4272
В идеальном кристалле она определяется балансом между уменьшением энергии при образовании доменов
![72 В идеальном кристалле она определяется балансом между уменьшением энергии при образовании](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-41.jpg)
за счет электростатического взаимодействия различных частей кристалла и увеличением энергии доменных границ.
Слайд 4372
Вид доменной структуры реального кристалла определяется природой и характером распределения его дефектов,
![72 Вид доменной структуры реального кристалла определяется природой и характером распределения его](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-42.jpg)
а также предысторией образца.
Слайд 4472
Число доменов и взаимная ориентация их спонтанной поляризации зависят от симметрии кристалла.
![72 Число доменов и взаимная ориентация их спонтанной поляризации зависят от симметрии](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-43.jpg)
Под действием внешнего электрического поля доменные границы смещаются так, что объемы доменов, поляризованных по полю, увеличиваются за счет доменов, поляризованных против поля.
Слайд 4572
В реальных кристаллах доменные границы закреплены на дефектах и неоднородностях, поэтому требуются
![72 В реальных кристаллах доменные границы закреплены на дефектах и неоднородностях, поэтому](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-44.jpg)
достаточно сильные электрические поля, чтобы их перемещать по образцу.
Слайд 4772
Возможен и другой вариант изменения поляризации под действием внешнего электрического поля –
![72 Возможен и другой вариант изменения поляризации под действием внешнего электрического поля](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-46.jpg)
вектор поляризации разворачивается до тех пор, пока не станет направленным так же как и внешнее электрическое поле.
Слайд 4872
При циклическом изменении напряженности внешнего электрического поля происходит перестройка доменной структуры
![72 При циклическом изменении напряженности внешнего электрического поля происходит перестройка доменной структуры](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-47.jpg)
сегнетоэлектрика. Резкое изменение его поляризации под действием электрического поля происходит за счет смещения доменных границ и обуславливает большую величину диэлектрической проницаемости образца.
Слайд 4972
Например, для сегнтовой соли ε ≈ 10000, для титаната бария –
ε ≈
![72 Например, для сегнтовой соли ε ≈ 10000, для титаната бария –](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-48.jpg)
6000 – 7000. При циклическом изменении напряженности электрического поля поляризация сегнетоэлектриков характеризуется электрической петлей гистерезиса.
Слайд 5172
После включения поля по мере увеличения его напряженности поляризация увеличивается и описывается
![72 После включения поля по мере увеличения его напряженности поляризация увеличивается и](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-50.jpg)
кривой ОА. При достижении некоторой величины напряженности поля ЕS, поляризация достигает насыщения (линия АБ).
Слайд 5272
При уменьшении напряженности поля после достижения точки А поляризация убывает по линии
![72 При уменьшении напряженности поля после достижения точки А поляризация убывает по](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-51.jpg)
АВ, т. е. при обращении напряженности поля в нуль поляризация не исчезает, а имеет некоторое значение, называемое остаточной поляризацией Р0 (отрезок ОВ).
Слайд 5372
Поляризация исчезает только под действием поля, направленного противоположно первоначальному при напряженности ЕС,
![72 Поляризация исчезает только под действием поля, направленного противоположно первоначальному при напряженности](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-52.jpg)
называемой коэрцитивной силой. При дальнейшем увеличении напряженности поля опять наступает насыщение (точка Г) и при последующем ее уменьшении поляризация описывает линию ДГКА, замыкая петлю гистерезиса.
Слайд 5472
Такое периодическое изменение поляризации связано с затратой энергии, которая приводит к нагреванию
![72 Такое периодическое изменение поляризации связано с затратой энергии, которая приводит к](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-53.jpg)
образца. Эта энергия прямопропорциональна площади петли.
Слайд 5572
Описанные выше свойства сегнетоэлектриков проявляются только в определенном интервале температур, характерном для
![72 Описанные выше свойства сегнетоэлектриков проявляются только в определенном интервале температур, характерном](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-54.jpg)
данного типа вещества. Поэтому существует предельная температура ТС (точка Кюри), выше которой сегнетоэлектрические свойства исчезают.
Слайд 5672
Например, для титаната бария
ТС = 120 оС, для ниобата лития ТС =
![72 Например, для титаната бария ТС = 120 оС, для ниобата лития](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-55.jpg)
1210 оС. Существуют вещества, имеющие несколько точек Кюри. Например, сегнетова соль имеет две точки Кюри: нижнюю ТС = – 18оС и верхнюю точку ТС = 24 оС.
Слайд 5772
Объясняется это наличием ряда кристаллических модификаций сегнетоэлектрического кристалла.
В точке Кюри происходят фазовые
![72 Объясняется это наличием ряда кристаллических модификаций сегнетоэлектрического кристалла. В точке Кюри](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-56.jpg)
превращения вещества из одной модификации в другую.
Слайд 5872
Прямую, параллельную вектору спонтанной поляризации сегнетоэлектрика, называют полярной осью.
У сегнетовой соли полярная
![72 Прямую, параллельную вектору спонтанной поляризации сегнетоэлектрика, называют полярной осью. У сегнетовой](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-57.jpg)
ось одна, у титаната бария их несколько. При температуре ниже точки Кюри сегнетоэлектрики являются пироэлектриками.
Слайд 5972
Всякий сегнетоэлектрик является и пьезоэлектриком, но не наоборот. Исключение составляет титанат бария,
![72 Всякий сегнетоэлектрик является и пьезоэлектриком, но не наоборот. Исключение составляет титанат](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-58.jpg)
который при температуре выше 120o C имеет простую кубическую структуру. Поэтому из−за наличия центра симметрии в неполярной фазе он не обладает пьезоэлектрическими свойствами.
Слайд 6072
Известно, что сегнетоэлектрические свойства вызваны взаимодействием ионов кристалла и отсутствием в кристалле
![72 Известно, что сегнетоэлектрические свойства вызваны взаимодействием ионов кристалла и отсутствием в кристалле центров симметрии.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-59.jpg)
центров симметрии.
Слайд 6172
Сегнетоэлектрики широко применяются в науке и технике, например, для увеличения емкости конденсаторов,
![72 Сегнетоэлектрики широко применяются в науке и технике, например, для увеличения емкости](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-60.jpg)
для контроля и измерения температуры, в детекторах электромагнитного поля и т. д.
В некоторых веществах наблюдаются антисегнетоэлектрические свойства.
Слайд 6272
Пьезоэлектрики − кристаллы, в которых имеется не менее одной полярной оси и
![72 Пьезоэлектрики − кристаллы, в которых имеется не менее одной полярной оси](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-61.jpg)
отсутствуют центры симметрии.
Полярная ось − линия в кристалле, оба конца которой неравнозначны. Пьезоэлектрическими свойствами обладают 20 из 32 кристаллографических классов.
Слайд 6372
Если кристалл кварца сжать, то на его гранях, перпендикулярных направлению сжатия, возникали
![72 Если кристалл кварца сжать, то на его гранях, перпендикулярных направлению сжатия,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-62.jpg)
разноименные заряды: на одной грани − положительные, на другой − отрицательные.
При растяжении кристалла полярность зарядов на гранях изменялась на противоположную (прямой пьезоэффект).
Слайд 6472
Пьезоэффект обратим, т.е. если на гранях кварца создать разноименные заряды, то он
![72 Пьезоэффект обратим, т.е. если на гранях кварца создать разноименные заряды, то](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-63.jpg)
либо сжимается, либо растягивался в зависимости от их полярности (обратный пьезоэффект).
С пьезоэлектрическими свойствами веществ тесно связаны их пироэлектрические свойства.
Слайд 6572
В кристалле при нагревании возникают внутренние напряжения, вызванные температурными градиентами. В результате
![72 В кристалле при нагревании возникают внутренние напряжения, вызванные температурными градиентами. В](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-64.jpg)
на поверхности кристалла появляются электрические заряды.
Слайд 6672
Приложение электрического поля к кристаллу приводит к возникновению деформаций за счет обратного
![72 Приложение электрического поля к кристаллу приводит к возникновению деформаций за счет](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-65.jpg)
пьезоэффекта: сжатия и сдвига в различных кристаллографических направлениях.
Слайд 6772
Эксперименты показали, что пьезоэффект обратим. Обратный пьезоэлектрический эффект имеет внешнее сходство с
![72 Эксперименты показали, что пьезоэффект обратим. Обратный пьезоэлектрический эффект имеет внешнее сходство с электрострикцией.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-66.jpg)
электрострикцией.
Слайд 6872
Электрострикция возникает в кристаллах, у которых деформация диэлектрика пропорциональна квадрату напряженности Е
![72 Электрострикция возникает в кристаллах, у которых деформация диэлектрика пропорциональна квадрату напряженности](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-67.jpg)
внешнего электрического поля и возникает за счет поляризации образца.
Обратимый же пьезоэффект зависит линейно от напряженности Е внешнего электрического поля.
Слайд 6972
Электрострикция наблюдается во всех диэлектриках при внесении их в неоднородное электрическое поле.
![72 Электрострикция наблюдается во всех диэлектриках при внесении их в неоднородное электрическое](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-68.jpg)
Напротив, обратный пьезоэффект наблюдается только в некоторых кристаллах в однородных электрических полях,
Слайд 7072
а возникающие силы пропорциональны напряженности этого поля и меняют направление на противоположное
![72 а возникающие силы пропорциональны напряженности этого поля и меняют направление на](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-69.jpg)
при изменении знака электрического поля.
Слайд 7172
Силы электрострикции появляются в результате действия электрического поля на поляризованный диэлектрик, вызванной
![72 Силы электрострикции появляются в результате действия электрического поля на поляризованный диэлектрик,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1015702/slide-70.jpg)
этим же полем.
Поэтому силы электрострикции прямо пропорциональны квадрату напряженности электрического поля и не изменяются при смене направления электрического поля на противоположное.