Лазеры на полупроводниковых наноразмерных структурах с катодно-лучевой накачкой
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН 2 3 Этапы развития Предложение по созданию инверсной населенности в полупроводниках при электронной накачке N.G. Basov, Advances in Quantum Electronics, N.-Y.,Columbia Univ. Press, p.506 (1961) Н.Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов, Вестник АН СССР, 3, 61 (1961) Реализация первого лазера на CdS с электронной накачкой Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич, А.Г. Девятков, ДАН СССР, 155, 78 (1964) Предвидение лазеров с «вертикальным микрорезонатором», продольной накачкой, излучающим зеркалом Н.Г. Басов, Нобелевская лекция, 11 декабря 1964. Предложение лазерной ЭЛТ Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич, А.С. Насибов, Авт. Свид. №270100 с приоритетом от 1967 г. Патент США 3558956 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН 2 3 Этапы развития (продолжение) Реализация лазерной ЭЛТ Parkard I.R., Tait W.C., Dierssen G.H. Appl. Phys. Lett., 19, 338 (1971). Н.Г. Басов и др. ДАН СССР, 205, 72 (1972). Создание отпаянного прибора «Квантоскопа» ФГУП «Платан» - 1980-1991 г. Соглашение с Pricipia Optics на 20 лет с 1991 г. Макет лазерного проектора на монокристаллах, работающий при комнатной температуре ФИАН совместно с комп. Principia LightWorks Inc. CA, USA – 1999 г. Реализация первого лазера на наноструктуре ФИАН совместно с Центром волоконной оптики при ИОФ РАН – 1995 г. Реализация лазера на наноструктуре с резонансно-периодическим усилением ФИАН совместно с Технологическим центром при Университете г. Шеффилда (Великобритания) – 2004 г.