Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов

3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов диодной группы
В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

Выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные микросборки; в) конструкция маломощного диода
Мощные выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные силовые модули; в) конструкция силового диода

Структура плоского диода Структура точечного диода
Структура ПП диодов: а) с p-n переходом; б) с n –i переходом

Типовые вольт- амперные характеристики диода.

Основные статические параметрам диода:
Номинальный прямой ток Iан;
• прямое напряжение Unp на диоде при Iан;
U обр. макс. доп.
напряжение включения Uвкл
• обратный ток Iобр ;
rпр =ΔUпр /ΔIa - мало;
rобр =ΔUобр /ΔI0 -велико;
К динамическим параметрам относятся:
предельная частота без переключения fмах
• время нарастания прямого тока tнар;
• время рассасывания tрасс.
время восстановления tвос
τр - время жизни неосновных носителей

Стабилитроны
Стабилитроны: а) внешний вид; б) типовая ВАХ; в) условное изображение.

UC ; IC min ; IC max ; UПР .
ВАХ стабилитрона
ВАХ стабистора

Схемы включения стабилитронов и особенности их работы

Тунельный и обращённый диод

ВАРИКАП
Основные параметры варикапов
Сн - номинальная ёмкость
Ԛ = Xc/rпот - добротность KC = Cmax /Cmin – коэффициент перекрытия
αт =ΔC / C *ΔT- температурный коэффициент