Металлы с сильным рассеянием

Транспорт в жидких металлах
(Теория Займана)
Рассеивающий потенциал
Матричный элемент перехода
Квадрат матричного элемента
Сумму во внутренних скобках можно усреднить по всем возможным конфигурациям вокруг фиксированного атома в точке Ri0 , т.е. по всем Ri0 .

Написав вместо суммы во внутренних скобках ее среднее
и заменив суммирование по Ri0 умножением на N, получим
Наконец, структурный фактор S(q) можно вычислить, заменив в усредненной сумме суммирование интегрированием.
Q(r) называется парной корреляционной функцией.

S(q)
Вычисление проводимости
Интеграл
определяется
окрестностью
верхнего предела благодаря множителю х3

Правило Моойа
α − температурный коэффициент сопротивления
J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973)

Насыщение сопротивления
в материалах с сильным электрон-фононным взаимодействием
Z. Fisk, G. Webb,
PRL 36, 1084 (1976)
J.H. Mooij,
physica status solidi (a) 17, 521 (1973)
Феноменологическая модель с
шунтирующим сопротивлением ρsh

Насыщение сопротивления
(грубая, но очень наглядная модель)
Обычно вероятность рассеяния электрона за время dt равна
вероятность того, что акт рассеяния произойдет в момент времени t, равна
Предположим, что между двумя актами рассеяния должно пройти минимальное время τ0 .
Усредним дрейфовую скорость, набранную электронами за время между столкновениями t
M. Gurvitch,
PRB 24, 7404 (1981)

Анизотрия насыщения сопротивления
В.Ф.Гантмахер, Г.И.Кулеско, В.М.Теплинский,
ЖЭТФ 90, 1421 (1986)
В.Е. Зиновьев,
А.Л. Соколов,
П.В. Гельд и др.,
ФТТ 17, 3617 (1975)
Уменьшение концентрации n приводит к большему значению ρsh
ρsh=
2000 μОм⋅см