Содержание
- 2. Частота SET осцилляций fSET = I/e Частота SET осцилляций fSET = I/e I
- 3. Когда же будет достигнут предел миниатюризации обычной электроники? Уже сейчас микроэлектронной промышленностью в опытном порядке создаются
- 4. Выступая в 1975 г. на конференции International Electron Devices Meeting, Гордон Мур отметил, что за прошедшее
- 5. Логические элементы, срабатывающие на определенную величину зарядового пакета, как, например, в случае КМОП-схем, будут слишком часто
- 6. Дальнейшее увеличение тока, обусловленное переходом с низким темпом туннелирования, будет медленным до тех пор, пока на
- 7. Эффект отсутствия тока при приложении напряжения V Одноэлектронное туннелирование в условиях кулоновской блокады и его механический
- 8. Figure 1.1: The left side shows, that the electron cloud shift against the lattice of atoms
- 9. Denotation of a small tunnel junction and an equivalent circuit of the current-biased junction Change of
- 10. CΣ = C1 + C2
- 11. Одноэлектронный транзистор (SET transistor)
- 12. Одноэлектронный транзистор с подводящими контактами из ниобия и алюминиевым островом. Created by Torsten Henning and published
- 13. Прототип одноэлектронного транзистора на основе одиночной молекулы-кластера: 1-- проводящая подложка, нижний электрод транзистора, 2 -- изолятор,
- 14. Все одноэлектронные приборы, реализованные на основе пленочной технологии, требуют гелиевых температур, что накладывает существенное ограничение на
- 15. В Кембриджском университете и токийской Japan Science & Technology Corporation разработан одноэлектронный транзистор, функционирующий при комнатной
- 16. В настоящее время современные технологии позволяют создавать контакты с “припаянными” к ним молекулами. На рисунке показана
- 17. Ортодоксальная теория. 0-D модель В используемой модели пренебрегается 1) размером и формой туннельного перехода, 2) конечным
- 18. Выражение для туннельного тока (случай большой емкости) Коммутационные соотношения: Электрический ток
- 19. Зная оператор тока, можно вычислить среднее значение тока по формуле Кубо как поправку к равновесному значению,
- 20. Усредняем по большому ансамблю Гиббса: При этом были использованы следующие соотношения:
- 21. Итак, С учетом суммирования по спину:
- 22. Плотность состояний Уравнение Шредингера для свободной частицы В случае ограниченного объема в виде куба со стороной
- 23. Поэтому в сфере объемом число точек, описывающих разрешенные состояния, равно числу ячеек объемом , и поэтому
- 24. Введем обозначение для среднего значения матричного элемента: Выражение для тока: Можно показать, что интеграл в этом
- 25. (закон Ома (!) ) Закон Ома указывает на диссипацию энергии при протекании туннельного тока (!) С
- 26. Учет изменения электростатической энергии при туннелировании Закон сохранения энергии при туннелировании электрона: .
- 27. Рассмотрим систему (х – совокупность ее координат), являющуюся частью замкнутой системы (q – совокупность остальных координат
- 28. Если предположить, что рассматриваемая подсистема находится в некотором полно описанном состоянии с волновой функцией ψ (это
- 29. Если внешний ток I0(t), туннельный ток I и ток через шунт достаточно малы и не нарушают
- 30. Для плотности вероятности можно получить уравнение, используя уравнение Фоккера-Планка для процесса х(t), заданного обыкновенным дифференциальным уравнением,
- 31. Denotation of a small tunnel junction and an equivalent circuit of the current-biased junction Change of
- 32. Вольт-амперная характеристика при Gs = 0
- 33. Вольт-амперная характеристика при Gs ≠ 0
- 34. SIS туннельный переход. Туннелирование куперовских пар Энергетический спектр состоит из зон (полос): n = 0, 1,
- 35. Рассмотрим случай малых флуктуаций: В этом случае система находится внутри нижней зоны (n=0), кроме того, при
- 36. Это будет как раз хорошо известное уравнение Матье (!). Свойства спектра энергии: периодическая зависимость внутри каждой
- 37. Энергетический спектр s s >> 1 Уравнение имеет стационарное решение : I0 = 0, |V| Если
- 38. Вместо решения уравнения (**) можно решать эквивалентное ему уравнение Ланжевеновского типа: При Т → 0 это
- 39. Блоховские осцилляции могут быть описаны уравнением Ланжевена, в то время как одноэлектронные (SET) осцилляции - только
- 40. Сосуществование одноэлектронных и блоховский осцилляций Решение основного уравнения (master equation) при учете в гамильтониане члена, отвечающего
- 41. Спектр осцилляций S S >>1
- 42. Одноэлектронный транзистор (SET transistor)
- 43. Одноэлектронный транзистор. Вольт-амперная характеристика
- 44. Схема логического элемента «Не-И»
- 45. Синхронизация одноэлектронных и блоховских колебаний
- 46. Зависимость высоты ступенек от амплитуды высокочастотного тока
- 47. Цепочка SET переходов
- 48. Солитонные состояния
- 49. Солитонные состояния
- 50. Влияние температуры
- 51. Туннельный ток через NIS и структуру N-I-N N-I-S BAX
- 52. Туннельный ток через SIS и структуру
- 53. Туннельный ток через SIS и структуру при Т > 0 eV = Δ1 – Δ2 eV
- 54. Энергетический спектр сверхпроводника. Электроны и дырки.
- 55. Андреевское отражение на NS границе
- 56. Кулоновская блокада андреевского отражения в NSN транзисторе
- 57. Эффект четности в сверхпроводниках Для транзистора со сверхпроводящим островом
- 59. Классические вычисления классические алгоритмы; классические биты («0» и «1») «Закон» Мура (элементы микросхем уменьшаются вдвое каждые
- 60. КУБИТ – Квантовый Бит Операции над кубитами Квантовые алгоритмы Не Операция Адамара Сдвиг фазы Быстрое преобразование
- 61. Виды кубитов Время декогерентизации – время, за которое взаимодействие с окружением разрушает когерентное состояние кубита. Отношение
- 62. Types of Josephson qubits EJ/EQ
- 63. Types of Josephson qubits I. Charge qubits (EQ >> EJ) NEC Fundamental Research Laboratories II. Flux
- 64. Виды сверхпроводящих кубитов I. Зарядовые (EQ >> EJ) NEC Fundamental Research Laboratories II. Фазовые (EQ Потоковые
- 65. Phase qubit
- 66. Flux qubit Degeneracy point at Φ = Φ0 / 2 Rabi oscillations
- 67. Quantronium (Saclay) Operation at optimal point (saddle) minimizes noise effects voltage fluctuations couple transversely - flux
- 68. Основные принципы выполнения логических операций Общий вид возмущённого гамильтониана в базисе невозмущённых собственных функций:
- 69. Гамильтонианы кубитов на основе 2-ч- и 3-х-контактных интерферометров. Гамильтониан двухконтактного кубита: Гамильтониан трёхконтактного кубита: Общий метод
- 70. Уравнение для матрицы плотности (уравнение Линдблада) Запутанность (энтропия фон Неймана) Декогеренция – процесс увеличения запутанности с
- 71. Разрушение когерентного состояния кубита Параметры, введённые на графиках: - матричный элемент фазы θ
- 72. Qubit coupling M. Steffen, M. Ansmann, R. C. Bialczak, Science 313, 1423 (2006). Phase qubits Связь
- 73. Считывание состояний кубитов Потоковый кубит Зарядовый кубит
- 74. Сверхпроводящие фазовые кубиты на основе сквидов малых размеров Потенциальная энергия, базисные уровни и волновые функции фазового
- 75. Круговой ток в кольце кубита как функция приложенного к нему магнитного потока в состояниях 0 и
- 89. Voltage / Frequency ADC Упрощенная версия АЦП с преобразованием напряжение / частота: эквивалентная схема (а) и
- 90. Voltage / Frequency, Voltage / Flux / SFQ ADC Схема чувствительного АЦП с преобразованием напряжение /
- 91. Analog-to-Digital Convertors (ADCs) Схемы АЦП первого порядка с супердискретизацией по частоте: дельта (a) и дельта-сигма (b)
- 92. Flash ADC with N SQUID comparators for n-bit ADC (а) Параллельный (Flash) АЦП с n компараторами
- 93. Блок-диаграмма сверхпроводникового параллельного (flash) АЦП. Который содержит избыточные компараторы и цифровую логику для коррекции ошибок в
- 94. Analog-to-Digital Convertors (ADCs) Дельта АЦП на основе синхронного квантайзера
- 95. Analog-to-Digital Convertors (ADCs) Чип 5 х 5 мм, содержащий дельта АЦП с дельта модулятором и цифровым
- 106. Скачать презентацию