Развитие платформы интегральной фотоники для телекоммуникационного оборудования

Фотоника: области применения.
телеком
лидары
беспроводная космическая и воздушная связь
бортовая оптическая сеть управления
радиофотоника
промышленная и био-медицинская сенсорика

Рынки, продукты, базовые элементы интегральной фотоники
Базовые элементы
спектральные фильтры (в т.ч. WDM)
модуляторы
переключатели
лазеры, усилители*
Фотодетекторы*
аттенюаторы
линии задержки
Рынки
дата-центры (интерконнект всех типов)
телекоммуникация и связь;
квантовая связь;
квантовые вычисления;
аэрокосмические приложения, БПЛА;
радиофотоника
транспорт;
охрана, сенсорика;
Продукты
приёмо-передающие системы
преобразователи и обработчики сигналов
сенсоры, лидары
*На технологиях А3В5

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ФОТОНИКИ
ПРОБЛЕМА
РЕШЕНИЕ

Потребитель:
ПАО «РОСТЕЛЕКОМ»
Стратегия ЗНТЦ: Локализация в РФ производства параметрического ряда элементов интегральной фотоники на основе разработанной и освоенной базовой технологии.
Производство кристалла AWG
Текущий проект ТКО для РТК (мультиплексор)
Производители аппаратуры:
ООО «Т8», ООО «Неорос»,
АО «Супертел» и др.
Проведен НИР, изготовлены экспериментальные образцы мультиплексора
Ведется ОКР при поддержке Т8 и Ростелекома по освоению серийного производства фотонного чипа и модуля DWDM-мультиплексора.
Проект одобрили и поддержали вице-премьеры Правительства РФ.
Протокол от 17 марта 2021 г. № ДЧ-П10-27пр.
Реализуется в рамках сквозных проектов.
Статус
проекта:
СРОК РЕАЛИЗАЦИИ:
2021-2024 гг

Интегральная фотоника. Базовые технологии.
*планируется освоение
В рамках кластера Фотоники в Технополисе «Москва» уже создана часть сквозной инфраструктуры, обеспечивающую полный (замкнутый) цикл контрактного производства пассивных фотонных интегральных схем ФИС на производственной площадке участника кластера - НТУ МИЭТ (АО ЗНТЦ).

Контрактное производство ФИС
Фотонные интегральные схемы
мультиплексор/ демультиплексор
разветвитель
Развитие систем проектирования
библиотека элементов для САПР ФИС для платформ:
SiON (SiOxGey)
Si (КНИ)
Развитие технологических платформ
SiON
SiOxGey
Si (КНИ)

Luna Keysight Thorlabs Yokogawa GW Instek Asylum Research
Измерение оптических характеристик приборов интегральной фотоники
Установка измерений оптических параметров неокольцованных ИО чипов
Лаборатория интегральной фотоники
Спектроскопический эллипсометр для измерения диэлектрических параметров тонких пластин
Измерение параметров полученных структур
Установка измерений оптических параметров ИО элементов
Установка стыковки ИО чипов с оптоволоконными модулями ввода/вывода света и измерение их оптических параметров

НУЖНА Интеграция платформ Si и III-V
Гибридная интеграция
Гетерогенная интеграция
оптическое соединение уже созданных элементов на основе III-V с кремниевыми фотонными схемами
прикрепление кристаллов -«заготовок» II-V к кремниевым пластинам с уже созданной фотонной схемой и последующее изготовление элементов схемы на III-V.
Мультичиповая (модульная) конструкция
Моночиповая конструкция
изготовление вейферов III-V и волноводной структуры на Si
бондинг
формирование волноводной структуры на III-V