Силовые полупроводниковые приборы (СПП)

Силовые биполярные транзисторы
1. Составной транзистор это соединение двух и более транзисторов, эквивалентных од­ному транзистору, но с большим коэффициентом усиления.

Примеры использования силовых транзисторов

Силовые тиристоры

Примеры использования силовых тиристоров

Мостовые схемы тиристорных преобразователей

БТ с изолированным затвором (БТИЗ ) или (IJBT транзисторы)

IJBT транзисторы и основные их характеристики

Примеры схем на IJBT транзисторах (твёрдотельные реле)

Примеры использования IJBT модулей

SIT- транзистор со статической индукцией
Это многоканальный ПТ с управляющим p-n переходом (N> 1000) с вертикальной структурой
Особенности работы SIT:
1.Uси –мало , т.к. мала длинна канала, поэтому
оно не влияет на характер изменения Ic;
2.При увеличении Uси ток Ic возрастает (Uзи =const)
3. Стокозатворная ВАХ отличается протяжёнными
линейными участками, поэтому SIT хорошо работают
в УЗЧ большой мощности и в ключевом режиме.
4. SIT могут использоваться и в биполярном режиме, когда
Uзи < 0, при этом p-n переход открывается и SITпереходит
в режим БТ. В этом режиме при открытом SIT Uси –мало
при больших токах Ic , но быстродействие снижается.

Заключение
На сегодняшний день IBGT как класс приборов силовой электроники занимает и будет занимать доминирующее положение для диапазона мощностей от единиц киловатт до единиц мегаватт. Дальнейшее развитие IGBT связано с требованиями рынка и будет идти по пути:
повышения диапазона предельных коммутируемых токов и напряжений (единицы килоампер, 5-7 кВ);
повышения быстродействия;
повышения стойкости к перегрузкам и аварийным режимам;
снижения прямого падения напряжения;
разработка новых структур с плотностями токов, приближающихся к тиристорным;
развития "интеллектуальных" IGBTмодулей (с встроенными функциями диагностики и защит) ;
создания новых высоконадёжных корпусов, в том числе с использованием MMC (AlSiC) ;
повышения частоты и снижение потерь SiC быстро восстанавливающихся обратных диодов;
применения прямого водяного охлаждения для исключения соединения основание - охладитель.