Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe

изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника.
Цель работы

Фотографии источников МРИ:
а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2

Источник МРИ - 1

Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры

Преобразование источника для проведения эксперимента

Схема масс-спектрометра

Типовой масс-спектр образца CdHgTe

Работа в Mathcad 2000

Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe

Схема источника МРИ-2

Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора

Процесс облучения и получение масс-спектров

Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа

Типовой масс-спектр

Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей

Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда
На источнике МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре
Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника
На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов
Выводы