Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИ
Шкляев и др. УФН (2006), № 9, с.913; Phys. Rev. B. ( 2000), v.62, p.1540 Целью проекта является создание слоёв наноструктурированного кремния, обладающих высоким квантовым выходом люминесценции в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм и изготовление на их основе светоизлучающих диодов. В задачи проекта входит определение технологических параметров процесса роста кремния, которые обеспечивают образование предельно высокой плотности светоизлучающих центров и установление их атомной структуры посредством использования методов микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции и электролюминесценции. Идея проекта основана на использовании глубоких уровней в кремнии для получения оптических переходов в практически важной области длин волн вблизи 1.55 мкм, применяемой в стекловолоконных средствах связи. Нами разработана уникальная методика роста слоёв кремния на наноструктурированной поверхности, состоящей из массива островков германия размером до 10 нм, которые показаны на рисунке. б Выращенные на такой поверхности слои кремния имеют высокую плотность кристаллических дефектов, дающих оптически активные глубокие уровни одного типа. Изображение слоя кремния, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Спектры фотолюминесценции выращенного слоя и кристаллической подложки кремния. Шкляев и др. УФН (2008), № 2, с.139; Appl. Phys. Lett. (2006), v.88, p.121919 Наноструктурированные слои кремния излучают свет только в области длин волн вблизи 1.55 мкм.