Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке п

Основано в 1946 году
Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники
Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству микрофотоэлектроники
ФГУП
«НПО «Орион»

Задача Ориона
Разработка и производство передовых микрофотоэлектронных приборов, удовлетворяющих специфическим нуждам различных областей науки и производства

Наши Заказчики
Наши клиенты представляют оборонные и
охранные предприятия, НИИ,
медицинские учреждения и другие
организации российского рынка высоких
технологий
Мы разрабатываем приборы
удовлетворяющие особым требованиям
индивидуальных потребителей
Мы адаптируем стандартные приборы под
специфические требования заказчиков
Среди наших клиентов:
Красногорский завод имени С.А. Зверева
Ломо, Санкт-Петербург
Уомз, Екатеринбург

Руководящее звено Ориона
Филачёв Анатолий Михайлович
генеральный директор ФГУП «НПО «Орион»
Корнеева Марина Дамировна
первый заместитель генерального директора – директор по экономике и финансам
Пономаренко Владимир Павлович
первый заместитель генерального директора по научной и производственной работе

Орион Сегодня
Высококвалифицированные кадры учёных и инженеров
60-летний опыт производства высоких технологий
Растущее число производственных заказов
Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей
Широкий фронт работ по переорганизации и реконструкции производственных площадей

Высокопрофессиональные исследовательские группы
Более чем полувековой опыт высокотехнологичес-кого производства
Растущее число выпускаемой продукции
Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей
Управление качеством

Для регистрации импульсного лазерного излучения и волоконно-оптических линий связи
Неохлаждаемые
Фотоприёмники и фотоприёмные устройства
Число элементов (каналов)
от 1 до 128
Высоко скоростные, лавинные фотодиоды, pin-фотодиоды
Фотодиоды и Фотоприёмные устройства на основе Si, Ge, InGaAs для
спектрального диапазона 0,4…1,55 мкм

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства
Количество элементов (каналов) от 1 до 256
Не охлаждаемые и с термоэлектрическим охлаждением
С различными вариантами корпусов и бескорпусные
Фотоприёмники и фотоприёмные устройства на основе фоточувствительных плёнок PbS, PbSe для спектрального диапазона 1 - 5 мкм

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства
С предусилителями и интегральными считывающими устройствами Число элементовов от 1 до сотен тысяч
Линейные и матричные фотоприёмные устройства
С охлаждением Стирлинга
С различными вариантами корпусов и бескорпусные
Фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе InSb
для спектрального диапазона 3…5 мкм

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства
С охладителями Стирлинга и термоэлектрическим охлаждением
С предусилителями и интегральными считывающими микросхемами
Число элементов от 1 до сотен тысяч
Линейные и матричные фотоприёмные устройства
Фотоприёмники и Фотоприёмные устройства и фотодиоды на основе фоточувствительных плёнок из CdHgTe для спектрального диапазона 3…5 и 8…12 мкм

Лавинные германиевые фотодиоды для волоконно-оптических линий связи
Основные характеристики
Рабочие длины волны, мкм 1,3 и 1,55
Рабочее напряжение, В 35 – 45
Чувствительность
(при 1∙10-11 А×Гц-1/2), А×Вт-1 ≥6
Ёмкость, пФ ≤ 2
Время нарастания, нс ≤ 2

InGaAs фотодиоды для волоконно-оптических линий связи
Основные характеристики
Рабочие длины волн, мкм 1,3 и 1,55
Рабочее напряжение, В 10
Диаметр фоточувствительной
площадки, мкм 200
Темновой ток, нА ≤10
Токовая чувствительность, А×Вт-1
на λ=1,3 мкм, А/Вт ≥0,6
на λ=1,55 мкм,А/Вт ≥0,8
Ёмкость, пФ ≤2
Время нарастания, нс ≤2
Рабочее напряжение, В 10
Диапазон рабочих
температур, оС от -40 до +85

Лавинные кремниевые фотодиоды
Основные характеристики
Рабочая длина волны, мкм 0,8 – 0,9
Чувствительность
(при 1·10-12 А×Гц-1/2), А×Вт-1 ≥20
Рабочее напряжение, В 70 - 400
Ёмкость, пФ ≤3
Время нарастания, нс ≤3
Диапазон рабочих
температур, оС от -40 до +85
Диаметр сечения оптического
волокна, мкм 300

Фотоприёмное устройство на основе
кремниевого pin-фотодиода
Основные характеристики
Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 0,95
Диаметр фоточувствительной площадки, мм 5
Пороговая импульсная чувствительность
(при דвх=100 нс), Вт (1,95 – 3,25)·10-6
Напряжение питания, В 6,5 – 10,5
Ток потребления при (Рф=4 мВт) ≤7
Амплитуда импульсов на выходе, В ≥5
Диапазон рабочих
температур, оС от -20 до +50

8 канальное фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода
Основные характеристики
Рабочая длина волны, мкм 1,06
Порог чувствительности (Uс/Uш=1),Вт
наружные площадки ≤1,0∙10-7
внутренние площадки ≤0,6∙10-7
Вольтовая монохроматическая импульсная
чувствительность, В/Вт 1∙10-4
Разброс чувствительности между
площадками, % ≤15
Динамический диапазон выходных сигналов
от уровня шума, дБ
наружные площадки ≤57
внутренние площадки ≤70
внутренние площадки в
режиме «Ослаблено» ≥100
Напряжение питания ФПУ, В
фотодиодов 200±10
усилителей ±12

Пороговый германиевый фотодиод
Основные характеристики
Количество чувствительных элементов 1
Диаметр эффективной площадки, мм 1,1
Плоский угол зрения 40°
Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 1,6
Токовая чувствительность
на λ=1,06 нм, А/Вт 0,5
на λ=1,55 нм, А/Вт 0,55
Обнаружительная способность
при λmax, Вт-1∙см∙Гц1/2 3∙1010
Время нарастания/спада переходной
характеристики, нс ≤40
Динамический диапазон 1∙107
Темновой ток, мкА ≤10
Ёмкость, пФ ≤100
Масса, г 2
Рабочее напряжение, В 10

Фотоприёмное устройство на основе Si фотодиода
Основные характеристики
Количество чувствительных элементов 1
Спектральный диапазон, мкм 0,4 – 1,1
Диаметр фоточувствительной
площадки, мм 0,45 – 0,55
Параметры выходного сигнала
амплитуда, В 2,5 – 4,5
длительность, нс 50-120
полярность положительная
время нарастания , нс ≤15
Напряжение питания фотодиода, В 100±10
Ток потребления по цепи усилителя, мА ≤45
Диапазон рабочих
температур, оС от -40 до +60
Габаритные размеры, мм Ø30×6,5

Фоторезисторы на основе PbS и PbSe
Основные характеристики

Матричное фотоприёмное устройство на основе CdHgTe

Одноэлементные неохлаждаемые фоторезисторы на основе PbSe
Основные характеристики

Фотоприёмное устройство на основе
CdHgTe детекторах
Основные характеристики

Фотоприёмное устройство на основе PbSe с термоэлектрическим охлаждением
Основные характеристики

Электронно-лучевая установка

Ионно-лучевая установка

Электронно-лучевая пушка

Ионные источники