Расчет параметров слоев

[Ом·см]

[Ом/•]
N(hслоя) = Nподл, N(hслоя) = Nэпитакс
Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)

Диффузия в полуограниченную область
Случай неограниченного источника примеси
N(x,t) = Ns erfc (x/L)
Случай ограниченного источника примеси
N(x,t) = exp ( - x2 /L2)
характеристическая
длина диффузии

Примесь знаем,
выбираем Т
Условие 1
Условие 2
Получаем t,
если меньше 10 минут или больше 10 часов
находим
N(hслоя) = Nфоновое

Примесь знаем,
Выбираем Q
Условие 1
Условие 2
Получаем Dt
(как одну переменную)
N(hслоя) = Nфоновое
Если заданы параметры после разгонки
Подбираем под Q
T и t загонки
выбираем Т
Получаем t,
если меньше 10 минут или больше 10 часов

Двух- и трехмерные точечные источники
r - расстояние от источника диффузанта
m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух- и трехмерного источников
Формула Пуассона

«Разгонка» примеси
Многостадийная диффузия
Если Dр tр > 3 Dз tз
Если Dр tр < Dз tз
характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр
Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi

заг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
заг
заг

Рост пленок SiО2