Создание полупроводниковых структур методами химического осаждения из истинных и коллоидных растворов

Цель и задачи учебной практики
Цель работы: модернизация автоматизированной установки для формирования полупроводниковых слоев методом ионного наслаивания из жидкой фазы в присутствии электрического поля.
исследование методов ионного и электрохимического молекулярного наслаивания;
исследование циклической вольтамперометрии и выбор программированного источника питания.

Метод ионного наслаивания ИН
Внешний установки для осаждения пленок методом ИН

Метод ионного наслаивания ИН
Внешний вид программы LabVIEW.

Электрохимическое молекулярное наслаивание
Электрохимическое молекулярное наслаивание для CdS.
Осаждение атомов происходит при подаче недонапряжения (дофазовое осаждение)
(underpotential deposition – UPD)

Циклическая вольтамперометрия
Метод циклической вольтамперометрии (с линейной разверткой потенциала)

Модернизированная установка ИН
Схематическое изображение модернизированной автоматизированной установки ИН
1 – подложка ITO,
2 – стеклоуглеродные сосуды для жидкости,
3 – гнезда сосудов,
4 – программируемый источник напряжения PWS4323.

Заключение
Для модернизации автоматизированной установки формирования полупроводниковых слоев методом ионного наслаивания :
Были рассмотрены методы ионного наслаивания, электрохимического молекулярного осаждения и циклической вольтамперометрии;
Было предложено модернизировать как саму установку SILAR, так и программу управления, которая будет управляться программируемым источником PWS4323;
Также предложено использовать в качестве подложки прозрачный оксид ITO и сосуды для жидкости состоящие из стеклоуглерода.