Содержание
- 2. Необходимо понять: 1. Почему в кристаллах изначально присутствуют дислокации? 2. Почему дислокации размножаются при напряжениях много
- 3. Откуда берутся дислокации?
- 6. Дислокации несоответствия
- 7. Отпечаток индентора! Гетерогенное зарождение дислокаций под действием источника («концентратора») напряжений
- 8. Определение способности кристалла к пластической деформации
- 9. Vd = Δ l/ Δt
- 10. Избирательное травление
- 12. Oscar Rodríguez de la Fuente, Ph.D. Thesis, UCM Облучение поверхности быстрыми частицами СТМ реконструкция
- 14. Дислокации несоответствия Эффекты механических напряжений при гетероэпитаксии ε = (b-a)/a Сохранение объема элементарной ячейки
- 15. Несоответствие решеток
- 16. d = b/ε
- 17. Eε ~ ε 2 ED ~ ε ED ~ N ~ 1/d ~ ε
- 21. Механизмы размножения дислокаций
- 23. Сила, действующая на единицу длины дислокации Сила всегда направлена перпендикулярно линии дислокации Gj =biσij вектор Сила
- 24. Линейное натяжение дислокаций /L = /L = ≈ Линейное натяжение стремится уменьшить длину дислокационной линии Сила,
- 25. Изгиб линии дислокации Таким образом, для того, чтобы изогнуть дислокацию в кривую с эффективным радиусом R,
- 26. Источник Франка - Рида σ процесс повторяется много раз σ σ σ
- 27. Дислокационная сетка (сетка Франка)
- 28. ρ = μb/σ μ ≡ G σc ≈ μb/l
- 29. b Механизм Франка - Рида. Стрелки показывают направление обхода линии дислокации; b - вектор Бюргерса. μb/l
- 31. b
- 36. Другие источники дислокаций
- 40. σc ≈ 106 Н/м2
- 41. Призматические дислокации Если образуется диск достаточно большого размера, то ему энергетически выгодно деформироваться с образованием дислокационной
- 42. Образование дислокаций при росте кристаллов из расплава 1. Образование большого количества равновесных вакансий вблизи температуры плавления.
- 44. Скачать презентацию