Электронно-дырочный переход (p-n-переход)
Основная литература Гуртов, В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие для вузов / В. А. Гуртов. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с. Шалимова, К.В. Физика полупроводников: Учебник. 4-е изд., стер. — СПб.: Издательство «Лань», 2010. — 400 с.: ил. Троян, П.Е. Твердотельная электроника. М.: ТУСУР, 2008. — 330 с. Глазачев, А. В. Физические основы электроники. Конспект лекций /А. В. Глазачев, В. П. Петрович. – Томск, 2010. – 128 с. : ил. Дополнительная литература Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Физматлит, 2008. - 488 c. О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. Электроника. Учебник для вузов 4-е изд., стер. - М.: ВШ. 2008. А.Л. Марченко. Основы электроники, уч. пос. для вузов. изд. ДМК Пресс. 2000. Тема I. Электронно-дырочный переход (p-n-переход). Свойства электронно-дырочного перехода. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Диодная и диффузионная теория. Барьерная и диффузионная емкости. Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда. Распределение концентрации ННЗ у границ ЭДП при смещениях. Пробой p-n-перехода (туннельный, лавинный и тепловой).