Структура материалов. Введение в науку о материалах

Введение

Растровый электронный микроскоп

Изображение поверхности в растровом электронном микроскопе

Изображение пыльцы в растровом электронном микроскопе

См. слайд ниже

а)
б)
Получающиеся изображения дифракции рентгеновских лучей
на фотопленке (а) и бумажной ленте (б).
Картины получаются в результате рассеяния рентгеновских лучей поликристаллом. Даже при небольшом изменении расположения атомов в кристаллической решетке вид данных картин существенно меняется. Это дает возможность судить о изменении расположении атомов в результате каких-либо обработок.

(c добавками Cr, Si, Mn, Ti и др.)

1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s2

Вид поликристаллического образца под микроскопом.
Тепловое расширение. После нагрева шара он не проходит через кольцо. При этом шар расширяется равномерно во все стороны.

Кварцевый резонатор в кристаллодержателе
На пластинку, кольцо или брусок, вырезанные из кристалла кварца определённым образом, нанесены 2 и более электродов — проводящие полоски.
Пластинка закреплена и имеет собственную резонансную частоту механических колебаний.
При подаче напряжения на электроды благодаря пьезоэлектрическому эффекту происходит изгибание, сжатие или сдвиг в зависимости от того, каким образом вырезан кусок кристалла.
Однако колеблющаяся пластинка в результате того же пьезоэлектрического эффекта создаёт во внешней цепи противо-ЭДС, что можно рассматривать как явление, эквивалентное работе катушки индуктивности в колебательном контуре.
Если частота подаваемого напряжения равна или близка к частоте собственных механических колебаний пластинки, затраты энергии на поддержание колебаний пластинки оказываются намного ниже, нежели при большом отличии частоты. Это тоже соответствует поведению колебательного контура.

Молекулы могут также сшиваться ковалентными связями.

Стеклопла́стики — вид композиционных материалов — пластические материалы, состоящие из стекловолокнистого наполнителя (стеклянное волокно, волокно из кварца и др.) и связующего вещества (термореактивные и термопластичные полимеры).

Гамма это приблизительно дельта S деленная на а

ОМЕГА 200 Установка предназначена для выращивания монокристаллов сапфира (Al2O3)весом до 38 кг, диаметром до 200 мм и до 300 мм длиной. Метод Киропулоса (ГОИ).

Поверхность может быть кривой!

График в области Тпл.

Разница между жидкостью и жидкостью с зародышами. Второе слагаемое должно быть больше первого.
Оксиды, нитриды и сульфиды имеют высокую температуру плавления и могут быть центрами кристаллизации.

Система-совокупность фаз

См. след. слайд

Решетка не такая, как у исходных веществ и в узлах может не быть атомов , а также межузельные дополнительные (интервал концентраций за счет этого)
Для Fe3C Rнм/Rm = 0,91/1,26=0,72

ПОСы для пайки являются эвтектическими сплавами.

С эвтектикой
Для неограчич. растворим. например.

Сверхпластичная штамповка
Нужно: достаточно высокие температуры (меньше Тпл), мелкий размер зерна (меньше 20 мкм)
низкая скорость деформации