Презентации, доклады, проекты по химии

α-карбин и β-карбин
α-карбин и β-карбин
Предыстория До начала 60-х гг. ХХ в. общепринятым было считать, что существует лишь две формы кристаллического углерода – алмаз и графит, широко распространенные в природе и известные человечеству с древнейших времен. Многие исследователи выражали недоумение и считали несколько нелогичным, что существование элемента с самой богатой химией ограничивается лишь двумя аллотропными модификациями. Предыстория Алмаз – трехмерная (пространственная) форма углерода – образован атомами углерода в состоянии sp3-гибридизации (рис. 1, а). В графите – двумерной (плоскостной) форме – все атомы углерода находятся в состоянии sp2-гибридизации (рис. 1, б). Естественно было предположить, что должна существовать еще одна аллотропная форма углерода – цепочечная (линейная) – с sp-гибридизованным атомом углерода (рис. 1, в). Эта проблема долгое время привлекала внимание ученых – как теоретиков, так и практиков.
Продолжить чтение
Материаловедение. Технология конструкционных материалов. Диаграмма состояния Fe-Fe3C
Материаловедение. Технология конструкционных материалов. Диаграмма состояния Fe-Fe3C
ТюмГНГУ,МиТКМ,ЗолотареваЕВ Полиморфизм Полиморфизм – способность твердых веществ и жидких кристаллов существовать в двух или нескольких формах с различной кристаллической структурой и свойствами при одном и том же химическом составе. Такие формы называются полиморфными модификациями. Взаимные превращения полиморфных модификаций называются полиморфными переходами. Полиморфизм простых веществ принято называть аллотропией, но понятие полиморфизма не относится к некристаллическим аллотропным формам (таким как газообразные O2 и O3). Области устойчивости полиморфных модификаций и точки перехода между ними определяются фазовыми диаграммами равновесия. ТюмГНГУ,МиТКМ,ЗолотареваЕВ 1.1. Полиморфное превращение В металлических кристаллах плотноупакованные структуры вследствие меньшей энтропии устойчивы при низких температурах. Более рыхлая структура ОЦК (см. рис. 1), имеет большую энтропию, а поэтому устойчива при повышенных температурах. Этим объясняется стабильность ОЦК-решетки при повышенных температурах во многих металлах, например, Ti, Zr, Fe, U. Стабильность ОЦК-решетки в железе и при низких температурах связывают с возрастанием электронной составляющей энтропии. Рис. 1. Фазовый переход из фазы 1 (ГПУ) в фазу 2 (ОЦК): температура T1→2  – температура фазового превращения; до T1→2 стабильна фаза 1, после – фаза 2.
Продолжить чтение
Синтез и реакции пиридазина
Синтез и реакции пиридазина
Положение пиридазина. Диазины формально можно рассматривать как гетероциклические соединения, образующиеся из бензола или нафталина путем замещения двух углеродных атомов (точнее СН-групп) атомами азота. Пиридазины не встречаются в природе и имеют небольшое практическое значение; например, гидразид малеиновой кислоты (4) применяется как избирательный ингибитор роста растений. Методы синтеза пиридазинов. Большая часть синтезов пиридазинового кольца основана на присоединении гидразина и его производных к углеродной цепочке с соответствующими заместителями в положениях 1,4. Конденсация производных гидразина с 1,4-диацилэтиленами, производными малеинового ангидрида, 4-альдегидо или 4-кетокислотами, бутенолидами, 2-бром или 2-гидрокси-1,4-дикарбонильными соединениями, а также производными дигидрофурана приводят к образованию пиридазиновых колец.
Продолжить чтение
Методика исследования роста оксида кремния SiO2 c помощью РФЭС. Лекция 2
Методика исследования роста оксида кремния SiO2 c помощью РФЭС. Лекция 2
Сверхвысоковакуумный электронный спектрометр XSAM-800 (РФЭС+ОЭС+СРМИ+СРЭО) Очистка поверхности и получение чистого Si(001) Снятие естественного оксида путем травления в HF; 2) Пассивация поверхности водородом; 3) Травление ионами аргона Ar+, ~3.5 кэВ; 4) Вакуумный отжиг при p=10-9, Торр Т=1100К hυ = 1253.6 эВ РФЭС Si(001) I T P ≈ 10-9 Торр 800 К ≤ T ≤ 1200 К Прямой нагрев HF H+ Ar+, 3.5 кэВ Измерение интенсивности линий Si2p и О1s как функции времени экспозиции (t) Si(001) I T SiO2 O2 O2 O2 P ≈ 10-6 Торр 800 К ≤ T ≤ 1200 К Прямой нагрев Измерение интенсивности пика O1s РФЭС линии (I0) как функции времени экспозиции (t) производилось в режиме реального времени одновременно с напуском кислорода (p =10-6 Торр) в камеру анализатора. Для этого запись интенсивности I0 максимума линии O1s, проводилась в режиме с низкой разрешающей способностью энергоанализатора, что позволяло определять общую концентрацию поверхностного кислорода). По истечению времени t=10 минут (экспозиции ε=600 L (1L=10-6 Торр⋅с)), напуск кислорода прекращался. После завершения измерения зависимости I0(t) для контроля состояний кислорода и кремния повторно регистрировались детальные спектры линий O1s и Si2p. Нормированный Si2p (слева) и O1s (справа) фотоэлектронные спектры поверхности кремния экспонированной при Т=1020 К, ε=600 L (θ=1.3).
Продолжить чтение