Поверхность потенциальной энергии и расчет сил, действующих на ионы
полная энергия изучаемой системы, EBO, напрямую зависит от конкретного расположения ионов Поверхность потенциальной энергии и расчет сил, действующих на ионы. В приближении Борна-Оппенгеймера: кулоновское взаимодействие ионов, берется по всем возможным парам ионов, ZI - заряд иона I; RIJ – расстояние между ионами I и J Энергия электронной подсистемы, зависящее от расположения ионов, где RI – положение иона I Атомистические и микроскопические методы Молекулярная статика Молекулярная динамика Главной задачей является нахождение состояния системы с минимальной энергией (или основного состояния). Используется при исследовании структуры и энергетических параметров точечных дефектов или дислокаций или структуры границ зерен. Главной задачей является позволяющий исследование эволюции системы взаимодействующих атомов во времени с помощью интегрирования уравнений движения Используется для изучения динамики кристаллической решетки материалов, моделирования различных дефектов кристаллической структуры: от точечных (вакансии, дефекты внедрения) до линейных (дислокации) и плоских (межфазные границы, доменные границы и т.д.), исследования кинетики перемещения дефектов и примесных атомов по объему материала и кинетики взаимодействия дефектов между собой.