Презентации, доклады, проекты по химии

Prezentatsia_lektsia_Reaktora_2_Materialny_balans
Prezentatsia_lektsia_Reaktora_2_Materialny_balans
Математическая модель химического реактора включает два уравнения: - уравнение материального баланса - уравнение теплового баланса В общем виде уравнение материального баланса применительно к реагенту можно представить в виде: количество вещества, поступающего на вход в реактор в единицу времени – расход вещества в единицу времени (на химическую реакцию, а также выходящего из реактора) = накопление (убыль) вещества в реакторе в единицу времени По аналогии уравнение теплового баланса в общем виде: приход тепла в реактор в единицу времени – расход тепла в единицу времени = накопление (убыль) тепла в реакторе в единицу времени Для реактора, работающего в стационарном режиме, когда концентрация и температура во времени не меняются, правая часть обоих уравнений равна 0. 2 Уравнение материального баланса химического реактора Варианты: Общий (брутто-баланс) Частный баланс по компоненту Элементный баланс 3
Продолжить чтение
Комплексные соединения
Комплексные соединения
Ко́мплексные соединения  — частицы (нейтральные молекулы или ионы), которые образуются в результате присоединения к данному иону (или атому), называемому комплексообразователем, нейтральных молекул или других ионов, называемых лигандами. Теория комплексных соединений (координационная теория) была предложена в 1893 г. А. Вернером. Основные термины Комплексное соединение — химическое вещество, в состав которого входят комплексные частицы. Комплексообразователь — центральный атом комплексной частицы. Лиганды(Адденды) — атомы или изолированные группы атомов, располагающиеся вокруг комплексообразователя. Внутренняя сфера комплексного соединения — центральный атом со связанными с ним лигандами, то есть, собственно, комплексная частица. Внешняя сфера комплексного соединения — остальные частицы, связанные с комплексной частицей ионной или межмолекулярными связями, включая водородные. Дентатность лиганда определяется числом координационных мест, занимаемых лигандом в координационной сфере комплексообразователя Координационный полиэдр — воображаемый молекулярный многогранник, в центре которого расположен атом-комплексообразователь, а в вершинах — частицы лигандов, непосредственно связанные с центральным атомом. Координационное число (КЧ) — число связей, образуемых центральным атомом с лигандами. Для комплексных соединений с монодентантными лигандами КЧ равно числу лигандов, а в случае полидентантных лигандов — числу таких лигандов, умноженному на дентатность.
Продолжить чтение
Поверхностные явления и дисперсные системы
Поверхностные явления и дисперсные системы
Волгоградский государственный технический университет Теоретическое и практическое руководство по дисциплине “Поверхностные явления и дисперсные системы” Учебное пособие Допущено учебно-методическим объединением по образованию в области химической технологии и биотехнологии в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по химико-технологическим направлениям подготовки дипломированных специалистов Ж. Н. Малышева, И. А. Новаков Волгоградский государственный технический университет Оглавление Введение.......................................................................................................................................................... 9 Глава 1. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ И ДИСПЕРСНЫЕ СИСТЕМЫ"................................................. 11 Глава 2. ОБРАЗОВАНИЕ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ........................................................................ 25 Глава 3. ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ............................................................................................. 49 Глава 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ......................................................................................................................................................136 Глава 5. МОЛЕКУЛЯРНО-КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ......................................................................................................................173 Глава 6. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ.................................................197 Глава 7. УСТОЙЧИВОСТЬ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ...................................................................220 Глава 8. ЛИОФИЛЬНЫЕ ДИСПЕРСНЫЕ СИСТЕМЫ...................................................................260 Глава 9. СТРУКТУРНО- МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ.......................................................................................................................278 Глава 10. КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ОСНОВНЫХ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ.......................................................................................................................295 Список рекомендуемой литературы......................................................................................................326 Приложение А. Правила по технике безопасности.............................................................................328 Приложение Б. Учебно-методический комплекс на ЭВМ по дисциплине Поверхностные явления и дисперсные системы................................................................................329 Приложение В. Важнейшие физико-химические константы...........................................................332
Продолжить чтение
Спирттің сақталуы туралы айтып беріңіз. Көмірқышқылының амидтік туындылары туралы айтып беріңіз
Спирттің сақталуы туралы айтып беріңіз. Көмірқышқылының амидтік туындылары туралы айтып беріңіз
Организация хранения спирта на складе предприятия При больших объемах потребления спирт хранится в металлических резервуарах различной вместимости, обеспечивающих возможность измерения в них наличия спирта по объему. Помещения для хранения спирта должны удовлетворять следующим условиям: а) размеры помещения должны быть достаточными для хранения в нем максимального переходящего запаса спирта и установки мерников; б) к каждому резервуару независимо от его размеров (объема) должен быть обеспечен свободный со всех сторон доступ для его осмотра; в) при значительной высоте резервуаров на складе должны устанавливаться лестницы для отбора проб и замера уровня спирта в резервуарах; г) пол, стены, порог склада должны быть оцементированы с железнением на высоту не менее 25 см; д) двери должны быть железные, с прочными запорами и замками, окна – с железными решетками. Резервуары для хранения спирта должны быть оборудованы спускной трубой, подведенной к самой нижней точке дна резервуара, бронзовым пробковым краном, предохранительным клапаном на выпускном отверстии, поплавковым указателем уровня или автоматическим сигнализатором, предупреждающим о переполнении емкости. На трубе, по которой спирт поступает спирт в резервуар, снаружи должен быть установлен кран или вентиль. На резервуаре также должен быть люк для очистки и лючки для взятия проб. Под крышкой люка – резиновая прокладка, а на крышке – воздушник. Спирт не доливается в резервуар минимум на 20–25 см на случай расширения объема спирта от повышения температуры. Если часть спирта на складе хранится в железных бочках, то последние должны быть закрыты металлическими пробками с прочной резьбой. Ключи для заворачивания пробок должны быть обмедненными.
Продолжить чтение
Исследование воздействия плазмы метана на свойства оксида графена
Исследование воздействия плазмы метана на свойства оксида графена
Актуальность: Плазменная обработка является эффективным методом модификации свойств оксида графена, в свою очередь плазма метана является эффективным восстановителем оксида графена и позволяет залечивать дефекты кристаллической решётки оксида графена. В то же время воздействие плазмы метана на углеродные материалы ещё не полностью изучены. Цель: Исследовать воздействие плазмы метана на свойства оксида графена Задачи: Освоить работу на экспериментальных установках и подготовить образцы для измерений. Измерить сопротивление и спектры комбинационного рассеивания света Провести обработку и анализ экспериментальных данных, подготовить отчёт о проделанной работе. Методика эксперимента: Экспериментальная установка «Этна»: установка используется для плазмохимического травления и очистки поверхности пластин полупроводников и диэлектриков. Мощность до 300Вт, поток газа до 100 См3, давление менее 1 мбар, ТК (200 С) ASEC-03: система предназначена для исследования электрических и фотоэлектрических свойств и определения электрофизических параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов. Формула для расчета лоренцианов кривой пиков спектров КРС: y=y0 + (2*A/PI)*(w/(4*(x-xc)2 + w2))
Продолжить чтение