Презентации, доклады, проекты без категории

Студенческая лаборатория макроэкономических исследований
Студенческая лаборатория макроэкономических исследований
ФГОБУ ВПО «Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации» Научное студенческое общество ФОРМА Регистрации малый научно- исследовательских студенческих структур** кафедр и факультетов на 2010- 2011 учебный год Регистрация студенческой лаборатории макроэкономических исследований **Дискуссионный клуб, научный кружок, творческая научная мастерская, постоянно действующий научный семинар, исследовательский микроуниверситет Зав. лабораторией: Чередниченко Анна ФК2-2 Менеджеры: Ненькин Леонид ФК2-2 Дёмочкина Алёна ФК2-8 Джус Иван ФК2-7 Быковский Николай ФК2-7 Научный руководитель: к.э.н., доц., Емельянова О.И. Наше руководство Студенческая лаборатория макроэкономических исследований Финансовый Университет при Правительстве РФ, 2010-2011
Продолжить чтение
ПРОГРАММА ИССЛЕДОВАНИЙ ИНСТИТУТА ЦАРЭС2009-2011 гг.
ПРОГРАММА ИССЛЕДОВАНИЙ ИНСТИТУТА ЦАРЭС2009-2011 гг.
ПОЧЕМУ ИССЛЕДОВАНИЯ? Институт ЦАРЭС (в числе прочего)был создан для: Обеспечения интеллектуальной базы для мероприятий ЦАРЭС. Для того, чтобы задавать уместные вопросы и давать ответы, которые могут направлять политику Повышения исследовательского потенциала институтов в регионе Создания сети исследовательских институтов в регионе МАНДАТ ЦАРЭС ЦАРЭС является региональным форумом для продвижения развития своих стран-членов через региональное сотрудничество Ключевой вопрос: Как региональное сотрудничество может стать катализатором роста и развития в Центральной Азии? Уместность: (i) Географическая приближенность дает значительные преимущества во времена экономической глобализации, и региональное сотрудничество между развивающимися странами имеет потенциал поддержать национальные планы развития и компенсировать некоторые пробелы в глобальном экономическом управлении (ii) Для многих развивающихся стран региональная ориентация с вовлечением партнеров такого же уровня развития может стать более жизнеспособным вариантом по сравнению с исключительным фокусом только на мировом рынке. Можно легче справиться с иностранной конкуренцией внутри региона, и, кроме того, вероятность нахождения равных условий выше
Продолжить чтение
Методические рекомендации по проведению учебного исследования
Методические рекомендации по проведению учебного исследования
Барьер и трамплин исследования Краеугольный камень любого исследования – определение проблемы ( установление несоответствия между желаемым и действительным ) «Проблема, надлежащим образом поставленная, более чем наполовину решена». Фридрих Содди. «Выбор темы – залог успеха». Интересна не только на данный момент, но и в будущем; Должна отражать современные проблемы в науке, жизни общества; Соответствовать имеющимся условиям (достаточно источников информации, оборудование и условия для эксперимента и т. д.) Содержать спорный момент, столкновение разных точек зрения; Не должна быть очень объёмной, звучать конкретно; Может иметь два названия: теоретическое и творческое; Интересна и ученику, и руководителю; Тема – визитная карточка исследования;
Продолжить чтение
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точ
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точ
Одноэлектронный транзистор с эффектом кулоновской блокады Одноэлектронный транзистор – квантовая точка, отделенная от областей истока и стока туннельными барьерами. Кулоновская блокада – блокирование туннелирования электронов через заряженную квантовую точку вследствие их кулоновского отталкивания. Эффект кулоновской блокады туннелирования справедливо рассматривается как физический механизм, который может лечь в основу работы новых полупроводниковых приборов для элементной базы микро- и наноэлектроники. Проблема: существенным ограничением работы таких устройств является низкая рабочая температура. Верхний предел рабочей температуры определяется зарядовой энергией EC = e2/C, где C – электростатическая емкость квантовой точки. В обычных одноэлектронных транзисторах квантовая точка находится в массиве полупроводника. Способы увеличения рабочей температуры: Создание нанопроволочных одноэлектронных транзисторов (углеродные нанотрубки) Проблема: сложности в сочленении с полупроводниковой технологией Металлические и кремниевые транзисторы с малыми квантовыми точками (10 нм) Проблема: трудности в создании разветвленной геометрии Вертикальные транзисторы Проблема: нелатеральная геометрия, сложности в создании контактов Идея проекта: Создание одноэлектронных транзисторов с квантовой точкой, оторванной от подложки
Продолжить чтение